Презентація "Надпровідниковий діод"

-1
Попередній слайд
Наступний слайд


Завантажити презентацію "Надпровідниковий діод"
Слайд #1
Презентація на тему:
“Надпровідниковий діод”
Підготувала учениця 11-А класу
Чинадіївської ЗОШ І-ІІІ ступенів
Пехньо Олександра


Слайд #2
Напівпровідниковий діод —
це напівпровідниковий
прилад з одним
випрямним
електричним
переходом і двома
зовнішніми виводами.


Слайд #3
Випрямним електричним переходом, в напівпровідникових діодах, може бути електронно-дірковий перехід, гіперперехід або контакт метал-напівпровідник.


Слайд #4
Випрямний перехід, окрім ефекту випрямлення, має й інші властивості, що використовуються для створення різних видів напівпровідникових діодів: випрямних діодів, стабілітронів, лавинно-пролітних діодів, тунельних діодів, варикапів та інших.


Слайд #5
Тому напівпровідникові діоди поділяють:
на випрямні,
високочастотні;
надвисокочастотні,
імпульсні,
опірні (стабілітрони),
чотиришарові перемикаючі, 
фотодіоди, 
світлодіоди, 
тунельні діоди та інші.


Слайд #6
Якщо сплавити напівпровідники з різними типами провідності (n— та p-провідністю), то на межах їх стику утворюється p-n перехід. Вільні електрони з області напівпровідника з n-провідністю рекомбінують з «дірками» напівпровідника з p-провідністю. Утворюється нейтральний шар, який розділяє дві області з електричними зарядами. Створюється різниця потенціалів.


Слайд #7
Якщо подати напругу негативним знаком на n-область та позитивним на p-область, то електрони будуть здатні подолати нейтральний бар'єр і через діод потече струм (пряме увімкнення діода). Якщо подати напругу позитивним знаком на n-область, а негативним на p-область, то нейтральний шар розшириться і струм протікати не буде.


Слайд #8
Основні параметри напівпровідникового діода
Is — струм насичення (тепловий струм);
Rб — опір бази діода;
Rа — активний опір;
RД — диференційний опір;
Cб — бар'єрна ємність;
СД — дифузійна ємність
Rтп к — тепловий опір перехід-корпус;
Кв — коефіцієнт випростування;
φк — контактна різниця потенціалів.


Слайд #9
Проектування
При автоматизованому проектуванні мікроелектронної апаратури (МЕА), широко використовуються моделі елементної бази, зокрема, моделі напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем (ІМС). Найпоширенішими є топологічні моделі, наведені у вигляді еквівалентної заступної схеми, або неспрямованого графа, вітки яких відбивають шляхи розповсюдження фізичного процесу у приладах.


Слайд #10
Застосування
Застосовується
практично у всіх
електронних
схемах, та в
багатьох
електричних.


Слайд #11

ДЯКУЮ ЗА УВАГУ!